摘要
A high-temperature anisotropic silicon-etching strategy is demonstrated to steer the growth of the horizontally localized parallel Zn2SiO 4 nanowires.
源语言 | 英语 |
---|---|
页(从-至) | 3786-3788 |
页数 | 3 |
期刊 | Chemical Communications |
期 | 25 |
DOI | |
出版状态 | 已出版 - 2009 |
已对外发布 | 是 |
Hongqiang Wang, Guanghai Li, Lichao Jia, Liang Li, Guozhong Wang
科研成果: 期刊稿件 › 文章 › 同行评审
A high-temperature anisotropic silicon-etching strategy is demonstrated to steer the growth of the horizontally localized parallel Zn2SiO 4 nanowires.
源语言 | 英语 |
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页(从-至) | 3786-3788 |
页数 | 3 |
期刊 | Chemical Communications |
期 | 25 |
DOI | |
出版状态 | 已出版 - 2009 |
已对外发布 | 是 |