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西北工业大学 国内
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科研成果
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Morphology and growth mechanism of silicon carbide chemical vapor deposited at low temperatures and normal atmosphere
Y. Xu,
L. Cheng
,
L. Zhang
, W. Zhou
材料学院
Northwestern Polytechnical University Xian
科研成果
:
期刊稿件
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文章
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同行评审
34
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Morphology and growth mechanism of silicon carbide chemical vapor deposited at low temperatures and normal atmosphere' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Material Science
Silicon Carbide
100%
Supersaturation
66%
Surface (Surface Science)
33%
Scanning Electron Microscopy
33%
Transmission Electron Microscopy
33%
Chemical Vapor Deposition
33%
Crystallite
33%
Chemical Engineering
Silicon Carbide
100%
Vapor Deposition
33%
Chemical Vapor Deposition
33%
Engineering
Auger Spectrum
50%