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科研成果
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Formation of FeSi and FeSi
2
films from cis-Fe(SiCl
3
)
2
(CO)
4
by MOCVD -precursor versus substrate control
Christian Erich Zybill,
Wei Huang
Technical University of Munich
National University of Singapore
科研成果
:
期刊稿件
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文章
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同行评审
12
引用 (Scopus)
综述
指纹
指纹
探究 'Formation of FeSi and FeSi
2
films from cis-Fe(SiCl
3
)
2
(CO)
4
by MOCVD -precursor versus substrate control' 的科研主题。它们共同构成独一无二的指纹。
分类
加权
按字母排序
Material Science
Surface (Surface Science)
100%
Film
100%
Silicide
50%
Density
25%
Photoemission Spectroscopy
25%
Film Growth
25%
Low Pressure Chemical Vapor Deposition
25%
Chemistry
Low Pressure Chemical Vapor Deposition
25%